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AMD新晶体管设计提高IC速度 |
| 发布时间:2003年4月9日 点击次数:30 |
| 来源:中电网 作者: |
AMD公司还展示了一种基于金属闸设计的新的张力硅晶体管。这种技术比普通张力硅晶体管性能提高了20%至25%。但是,这两种新的晶体管设计目前还处于研究和测试阶段,短时间内还不会用于芯片生产中。AMD表示,这些新的设计将在本10年的后5年在该公司的芯片生产中发挥重要作用。 一般来说,按照摩尔定律,要增加新处理器的性能,厂商要在芯片中加入数量更多、体积更小的晶体管。由于晶体管体积越来越小,在芯片中的密度越来越大,芯片厂商将面临漏电和干扰的问题。这些问题将增加耗电量和影响芯片性能。如果不对技术做显著的改进,这些问题将使芯片性能的提高停止2代或3代的时间。AMD、英特尔和IBM等公司的研究人员都在使用新材料研究和制作新的多闸晶体管设计,试图克服这个障碍。 |
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