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安捷伦E-pHEMTFET下线数破50万

发布时间:2003年4月14日 点击次数:17
来源:中电网   作者:
 
安捷伦科技(Agilent Technologies)日前宣布E-pHEMT功放器 (PA) 模块现在每月下线的数量已超过50万。预计到2003年9月,安捷伦每月下线的模块数量将达到200-300万只。E-pHEMT (增强模式伪单色高电子迁移晶体管)场效应管 (FET) 适用于对成本敏感的、工作频率在450 MHz和6 GHz之间的无线通信设施,以实现低噪声和高动态范围的操作。

在3V、30 mA和2 GHz时,安捷伦单电压的E-pHEMT FET(ATF-58143)的噪声系数为0.5 dB,伴随增益为 +16.5 dB,OIP3 (三阶输出互扰点)为 +30.5 dBm,线性输出功率(1 dB增益压缩)为 +16.5 dBm。它特别适用于工作频率范围在450 MHz和6 GHz之间的蜂窝/PCS/WCDMA基站、无线本地环路、固定无线接入和其它高性能应用中的第一阶和第二阶前端LNA。ATF-58143在3V电压下,OIP3可实现30.5 dBm的高线性度,功耗为30 mA。单电压操作还消除了电压逆电电路或双电压补给。

安捷伦新推出的三款E-pHEMT功放模块中,有两款适用于CDMA/AMPS手机,一款适用于GSM手机。这些功放模块使制造商能够把手机电池的工作时间延长15%。在两款CDMA模块中,ACPM-7813适用于800 MHz双频手机,ACPM-7833则适合于1900 MHz (PCS)频段中的手机和无线数据终端应用。CDMA模块提供了业内40%的额定PAE,其采用的E-pHEMT技术要求一个正极电源。ACPM-7891功放模块是面向三频GSM/GPRS手机开发的。它在GSM频段中,可实现高达60%的PAE;而在DCS和PCS频段中,则可以实现56%的PAE。

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