英飞凌、南科合组虚拟DRAM集团，首季产出DRAM市占率逾20%，超越海力士及美光，成为全球第二大业者;英飞凌舒马克扬言，2006年前将与南科联手，超越三星，夺下全球DRAM第一大地位。面临三星、海力士、美光及尔必达等堆迭式(Stack)DRAM供应商挑战，英飞凌、南科联手研发的沟槽式(Trench)内存结构首季表现不俗，两家公司取得20%以上市场，预计华亚12寸厂产能开出，将进一步提升。 舒马克日前接受记者访问时表示，英飞凌与南科的合作将日趋紧密，未来可视为虚拟集团，双方联手进入90及70纳米按照规划，今年两家公司合计市占率将挤身全球第二，2006年超越三星抡元。 据了解，英飞凌第二季将与上海宏力签署0.14及0.11微米DRAM代工合约，加上上海中芯8寸厂0.14微米及北京12寸厂0.11微米代工协议，该公司在大陆产能将明显提升。 根据南科与英飞凌的协议，未来双方共同研发的90及70纳米技术转给第三公司，南科将取得33%代工产能。也就是说，未来南科将伴随英飞凌，陆续取得大陆晶圆厂代工DRAM，扩大市占率。 舒马克指出，英飞凌与南科在DRAM市场真正的对手是南韩三星，其它竞争者包括Hynix、美光，都是困于老旧厂房拖累，至于尔必达则缺乏资金，未来都将被英飞凌超越。 此外，英飞凌基于租税考量，计划将企业总部迁移至日内瓦或新加坡，并于大陆设立研发中心，DRAM事业总部则考虑移至华亚工业园区。