华邦电明年退出标准型DRAM[新闻热点]

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华邦电明年退出标准型DRAM

发布时间:2003年5月4日点击次数:20

来源:中电网作者:

华邦电子表示,非典型肺炎（SARS）预期将使经济成长减缓,并影响市场需求复苏,加上DRAM产品的价格变动剧烈,明年除为英飞凌代工的2万片产能持续供给外,将退出DRAM市场,提高高毛利的Pseudo SRAM比重。

华邦存储器事业副总经理王其国表示,华邦虽完成0.11微米试产256Mb DDR芯片,并于今年9月份即可开始出货予英飞凌（Infineon）,不过华邦电退出标准型DRAM市场是既定政策,因此明年起除了为英飞凌代工的2万片产能是在制造标准型DRAM外,华邦其余产能将不会再生产任何标准型DRAM,转向生产毛利较高的快闪存储器、单晶体类静态随机存取存储器（1T Pseudo SRAM）等存储器芯片。

华邦电所生产的低耗电、高容量的Pseudo SRAM,在手机市场有不错的进展,目前主要以较高级的64位产品居多,第1季出货量已达1万片,预估第2季可维持同样水准。

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