据报导，三星电子今年将结合12吋晶圆技术与纳米、微米工艺技术，扩大产能，并抢占DDR400以上新一代产品市场先机。

为此，三星电子计划在今年年底前，将12吋专用生产线－Fab12的月产能提高到1.3万片，并在明年将月产能扩大到4万片。同时，决定在今年底，将Fab11厂的12吋晶圆月产能由目前的7千片提高到1万片以上。

此外，还计划在今年6月底前，将整体产品中采用0.11微米工艺的产品生产比重，由目前的18％提高到48％以上。

三星电子相关人员表示，基于预期半导体景气可望自第三季开始好转，该公司将加速关键技术的整合，以抢占新一代产品市场先机。

并表示，12吋晶圆的芯片产量约较8吋晶圆高出2.5倍，若再采用0.11微米工艺技术，又可增加一倍左右的产能。基此，若结合12吋晶圆技术与0.11微米工艺技术量产产品，不仅可提升三至四倍的产能，亦有助于降低生产成本。