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三星电子抢占DDR400产品市场

发布时间:2003年5月5日 点击次数:18
来源:中电网   作者:
 
据报导,三星电子今年将结合12吋晶圆技术与纳米、微米工艺技术,扩大产能,并抢占DDR400以上新一代产品市场先机。

为此,三星电子计划在今年年底前,将12吋专用生产线-Fab12的月产能提高到1.3万片,并在明年将月产能扩大到4万片。同时,决定在今年底,将Fab11厂的12吋晶圆月产能由目前的7千片提高到1万片以上。

此外,还计划在今年6月底前,将整体产品中采用0.11微米工艺的产品生产比重,由目前的18%提高到48%以上。

三星电子相关人员表示,基于预期半导体景气可望自第三季开始好转,该公司将加速关键技术的整合,以抢占新一代产品市场先机。

并表示,12吋晶圆的芯片产量约较8吋晶圆高出2.5倍,若再采用0.11微米工艺技术,又可增加一倍左右的产能。基此,若结合12吋晶圆技术与0.11微米工艺技术量产产品,不仅可提升三至四倍的产能,亦有助于降低生产成本。 

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