老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引文章分类新闻热点→[Vishay推出薄膜后触点电阻器]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

Vishay推出薄膜后触点电阻器

发布时间:2003年5月5日 点击次数:18
来源:中电网   作者:
 
Vishay公司日前宣布推出薄膜电阻器系列(BCR),它令商用及军用级混合部件生产商可制造出外形更为小巧的产品,并可降低装配成本。BCR系列具有镀膜稳定性,耐时耐温,并采用单线连接设计,可简化生产混合电路所需工序并将电阻器尺寸降至最小,最终缩小面板空间。

BCR 系列器件尺寸为0.50 mm×0.50mm,是市场上最小的电阻器芯片之一,由于另一头可从芯片背后进行电气连接,通过共晶或导电性环氧树脂附着于基板,因此BCR电阻器芯片仅需单线连接。

新型后触点电阻器电阻范围为10Ω至1MΩ,精密公差值为0.1%, 电阻温度系数范围为±250 ppm/°C 至±25 ppm/°C, 最大工作电压75V,击穿电压为200V,+70°C时的直流额定功率为250mW。

新型薄膜后触点电阻器均据MIL-STD-883 标准进行百分百电气测试及目检,并符合MIL-STD-202 噪声、防潮性及热冲击规格要求,而且工作温度在-55°C 至+125°C 间,在正常及恶劣工作条件下均具备稳定性。

欢迎进入老古论坛进行讨论
[新闻热点] 相关文章:
飞兆半导体推出30V N沟道MOSFET
简介:
飞兆半导体公司日前推出一款FDS7066SN3器件,它采用飞兆半导体的FLMP (倒装引脚铸模封装) 和SyncFET硅技术,改善了同步DC/DC降压转换器的性能并能降低总系统设计成本。该器件集成了肖特基二极管,其SyncFET技术可在单一封装中提供分开的MOSFET及肖特基整流器的性能,即大功率和大电流的处理能力。这可使占用空间减少达50%,同时降低成本,缩短生产时间。 FDS7066SN3器件采用飞兆半导体的高效FLMP SO-8封装,再结合SyncFET技术,使到性能得以进一步提高。该器件的热效高 (结点至外壳的热阻为每瓦摄氏0.5度)、RDS低 (10Vgs时为4.5mOhms......

Momentum Data Systems公司推出新一代基于德州仪器DSP的数字音频引擎
AMD Thorton内核出台
华邦电明年退出标准型DRAM
欧盟拟对Hynix课33%惩罚关税
02年半导体设备市场缩减24.6%
9co推出新型时序信号发生器
nVIDIA将推出nForce2芯片组
飞利浦推出新型32位微控制器
摩托罗拉今年将推269项芯片
 
下一个:[新闻热点]英特尔下调赛扬芯片价格
简介:
据英特尔公司发布的资料称,它已经下调了台式机用赛扬芯片价格,英特尔所降价的芯片主要是针对低价格的台式机而设计的,最高降幅达24%。 这次大规模的降价活动是为了英特尔最新型2.4GHz和2.3GHz Celeron处理器的推出。据英特尔公司本周日在其网站上发布的资料称,2.4Ghz赛扬芯片现在的价格是103美元,下调了19%;2.3Ghz赛扬芯片的价格是89美元,降幅为24%;2.2Ghz赛扬芯片的价格是83美元,降幅为19%;2.1Ghz赛扬芯片的价格是79美元,降幅为11%。    预计英特尔将于近期推出一系列新型的台式机奔腾4芯片,其中将包括3.2GHz处理器和一种新型的芯片组......
 

上一个:[新闻热点]三月份全球IC销售增长2.6%

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:10分钟 执行时间:0毫秒