日前，英飞凌与美光共同推出高速低延迟(Reduced Latency)DRAM II架构为主的完整规格。此次所推出的RLDRAM II规格属于第二代规格，且是超高速DDR产品，传输速度可达400MHz，并结合超宽频及高密度的快速随机存取，RLDRAM II产品适用于通讯与资料储存应用产品。

英飞凌与美光同推出的RLDRAM II，在使用36bit介面与400MHz系统时钟频率(system clock)的8-bank架构下，传输速度每秒可高达28.8Gbps。

RLDRAM II的功能包含ODT(on-die termination)技术、多路传输(multiplexed)或非多路传输(non-multiplexed)定址、内建(on-chip)延迟锁定回路(delay lock loop; DLL)、共有(common)或分离(separate)I／O、可编程式输出阻抗(programmable output impedance)，及1.8V电源的能量效率(power efficient)。这些功能提供设计者更多的弹性、平衡的读／写比(READ／WRITE ratio)、更简化的设计过程，及降低汇流排转向的冲突(bus turnaround contention)。

DRAM业者认为，日前英飞凌方与三星电子(Samsung Electronics)共同宣布一项合作计划，提供智慧型行动电话(Smartphone)系统解决方案，以Symbian作业系统为基础，以缩短研发时间。此次，英飞凌又与美光携手开发RLDRAM II规格，再度证明全球半导体发展已非单一业者可独立研发完成。毕竟，单一厂商投入研发所需承担的风险及资金压力，远高于共同合作开发。