飞兆半导体公司推出一款P沟道MOSFET -- FDZ299P，其在1.5 X 1.5mm BGA (球栅阵列) 封装内采用PowerTrench 技术，比同级设备现时使用标准的SSOT-6或TSSOP-6封装MOSFET，尺寸减少了75%。该器件适用于蜂窝电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收器及数字相机等的功率管理。

FDZ299P的封装性能因数为80mΩ ?x 2.25mm2 = 180，与标准TSSOP-6封装器件的FFOM (80mΩ ?x 9.0mm2 = 720) 相比，优胜达75%。FDZ299P还提供低开关损耗 (最大稳态电流为4.6A)，减少了寄生系统的耗用功率。

FDZ299P的最大封装高度为0.8mm，因此可用于RF屏敝罩和内部元件及显示器中，满足了业界对更薄、更小封装不断增长的需求。除封装优势外，新型FDZ299P器件可提供低RDS(on) (55 mΩ @ VGS = -4.5V 和80 mΩ @ VGS =-2.5V) 和低栅极电荷 (@VGS = 4.5V，Qg ￡9 nC)。