英飞凌科技日前宣布其慕尼黑研究实验室通过将现有薄膜厚度缩减进入纳米级的新技术，将能够满足新一代芯片在金属化过程中加入薄膜封闭的严密要求，这项结果显示，先进的铜导线技术关键 ─ 薄阻障膜将能够符合涵括到2016年国际半导体技术发展蓝图(ITRS)中所制定的电气与功能要求。

ITRS预估，阻障层厚度将由12纳米(100 nm node, 2003)缩减到2.5纳米(22nm node, 2016)，英飞凌研究室的目标是找出目前Ta/TaN阻障技术的尺寸极限以及其与发展蓝图目标的吻合度。

英飞凌公司的研究员完成了先进芯片金属化系统中整合封闭铜导线超薄金属阻障膜的电气评估，这些薄膜能够在铜导线与周遭电介质之间成为电性隔离，封闭的铜导线必须能够避免铜扩散到介电质隔离层中，特别是避免接触芯片导线层下的晶体管，因为在晶体管层中的铜将会破坏组件的操作。