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英特尔等将展示低K技术蓝图 |
| 发布时间:2003年6月6日 点击次数:13 |
| 来源:中电网 作者: |
日本的东芝和索尼公司将在大会上作相关报告,报告中将提到嵌入式DRAM技术,主要涉及旋涂式玻璃法和化学气相沉积法（CVD）低K薄膜。东芝和索尼公司在一些特定产品中一直使用的都是Dow Chemical公司的旋涂式技术,但它们在未来的设计中也许会寻找混和的方法。 未来另一种可能的方法是使用物理隔离（air gaps）作为低K电介质材料。摩托罗拉、飞利浦半导体和意法半导体将就这方面作题为"使用物理隔离作为超低K电介质材料的高级铜互联的综述及展望"的报告。 台积电将提交90纳米技术相关的报告,目前该公司在90纳米节点中使用的是Applied Materials公司的黑钻石低K薄膜。 |
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