安森美为硅锗器件推出QFN封装[新闻热点]

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安森美为硅锗器件推出QFN封装

发布时间:2003年6月7日点击次数:23

来源:中电网作者:

安森美半导体日前宣布,其硅锗Gigacomm系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比,可节省电路板空间并提高热性能。

采用QFN封装的Gigacomm器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C,尺寸为3 mm x 3 mm,比倒装球栅阵列（FCBGA）封装减少44%。QFN的结温为每瓦功耗55°C。安森美半导体的数据与时钟管理Gigacomm集成电路系列,结合创新的设计、SiGe工艺和QFN封装,频率达12千兆赫以上。

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