东芝公司日前透露，该公司已经研制出了一种使用了氮化铪硅酸盐（HfSiON）的门电路介质的CMOS晶体管，并计划将该技术用于2005年采用65纳米加工工艺节点的大规模生产中。

该公司声称，铪门电路介质技术适用于65纳米CMOS生产工艺，与那些使用传统门电路介质制成的CMOS晶体管相比，这种新产品在门电路中的泄漏电流只是前者的千分之一。东芝公司为HfSiON门电路介电薄膜研制了一道制造工序，作为65纳米低功率CMOS的应用程序，并将其在由50纳米门电路长度的CMOS晶体管制作的大规模集成电路上作了实验，证实了它的性能。该公司现在计划2005年将这道新工序应用到移动产品逻辑集成电路的大规模生产上。

在硅工艺中，随着新一代CMOS工艺的出现，门电路介质的厚度一搬也应当逐步变薄。然而，门电路介质太薄，将导致门电路泄漏电流较高，而且这一问题每隔十年就会变得十分突出，从而也刺激技术人员继续寻找一种能提供厚度较大的、性能与SiO2相当的门电路介质材料。虽然氮化铪硅酸盐已经被验证能作为一种可行的材料，但目前几乎没有听说这种材料能应用于大规模生产的报道。氮化铪硅酸盐门电路介质目前已经满足了三个要求：减少门电路泄漏电流；在CMOS制作过程中提高了稳定性；以及用足够的驱动电流制造氮化铪硅酸盐门电路介质CMOS晶体管。

东芝公司称，它们已证明由等离子体氮化物加工制造成的氮化铪硅酸盐门电路介质可耐1050摄氏度的高温，并且不会出现相位分离或结晶的现象。