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英特尔公司于本周在日本京都召开的2003年VLSI研讨上宣布该公司在三门晶体管研究方面取得了重大进展,已开始从研究阶段过渡到开发阶段。三维（3D）晶体管设计将使英特尔公司进一步推动“摩尔定律”的发展。
英特尔公司高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Sunlin Chou说：“我们的最新研究成果显示,三门晶体管具有出色的可扩展性、可制造性和卓越的性能表现,预计我们将于2007年在45纳米制程中采用该晶体管。这一非平面三维晶体管结构将可以加快我们在纳米技术领域的创新,继续推动芯片可扩展性以及“摩尔定律”在未来的发展。”
英特尔的三门晶体管采用了三维门结构（如同在垂直方向上突起的高原一样）,它使电子信号可以通过晶体管顶门和垂直的两个侧门进行发送。这一设计可以将电子信号的传输空间扩大三倍,如同把一条单车道公路改造成一条三车道高速公路却无需占用更多的空间。借助这一优势,三门晶体管与当前的平面晶体管相比性能更为卓越。
英特尔的三门晶体管专门针对批量生产进行了精心设计,这对于将其从开发阶段转移到生产阶段是至关重要的。这一创新设计还解决了当前业界面临的由于CMOS设备尺寸越来越小而导致的越来越多的漏电流问题。凭借其独特的结构,三门晶体管的漏电流问题远远低于相同尺寸的平面晶体管。英特尔的三门晶体管设计已从研究阶段过渡到开发阶段,位于俄勒冈州Hillsboro的英特尔300毫米晶圆工厂（Fab D1C）已成功地生产出了实验设备。
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