AMD公司正在研究如何将一批尖端概念融合在一起，用于强化将于今后几年上市芯片的性能。这些技术包括应变硅晶（strained silicon）、多门晶体管、在关键性晶体管组件中用金属代替硅等。

AMD程序技术副总裁Craig Sander称，芯片变得越来越小，运算的速度越来越快，但是，许多过去用于制造处理器的材料和结构目前不能再继续发展。 他介绍说，例如晶体管的关键组成gate oxide元件，在目前的芯片上面只能有5-6微粒子层的厚度。没有技术的变革，如果再薄一些的话，那么就会导致电流泄露，损伤电池的使用寿命，能量过度消耗，甚至使得计算机内部的温度达到危险的程度。

Sander称，现在研究人员提出的概念将可能开始出现在商业芯片领域，预计在2007年，45毫微米的制造工艺将诞生，在2009年则是32毫微米一代的制造工艺。