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AMD的研发人员在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会上介绍了多种迄今为止性能最高的晶体管。其中一批是采用全空乏绝缘硅 (FDSOI) 技术的晶体管,其开关速度远比其他 P 沟道金属氧化半导体 (PMOS) 晶体管高,即使与最近发表的晶体管比较,这批崭新晶体管的开关速度也快 30%。另一批在会上介绍的晶体管采用受压硅晶 (Strained Silicon) 及金属门技术,这种 N 沟道金属氧化半导体 (NMOS) 晶体管可以发挥比采用传统受压硅晶技术的晶体管高 20-25% 的性能。
AMD 最新推出的一批晶体管采用 AMD 率先开发的新一代晶体管门技术。AMD 的研发人员放弃业界普遍采用的多晶硅作为晶体管门的材料,改用另一种称为硅化镍的材料,为晶体管装设"金属门"。晶体管门负责控制流入晶体管的电流,这个开关功能令晶体管门成为晶体管的极为重要部分。
AMD 将金属门与全空乏绝缘硅集成在一起,开发出一种全新的 PMOS 晶体管,这种晶体管的门导电性有大幅的提升,而且晶体管本身更提供适用的功函数以及具有更高的载体迁移率。由于这种 PMOS 晶体管拥有这些优点,因此其开关速度比现有的 PMOS 晶体管快 30% (以截至测试时所取得的公布资料为准)。上述晶体管性能的评等根据晶体管门的开关速度作为基准作比较,而有关晶体管性能的测试都按照业内标准的基准测试进行。
AMD 结合金属门及受压硅晶技术而成功开发的 NMOS 晶体管也拥有 PMOS 晶体管的优点,例如门导电性的大幅提升、适用的功函数以及更高的载体迁移率,但除此之外, NMOS 晶体管的受压硅晶层也有助进一步提高迁移率。根据直至测试时为止所公布的测试数字显示,这种晶体管的性能比采用传统受压硅晶技术的晶体管高 20 - 25%。
AMD 工艺技术开发副总裁Craig Sander 表示, AMD 的研究结果显示采用硅化镍或其他金属门技术可以将晶体管进一步缩小,最终可能会打破 65 纳米工艺这个关口,使芯片的生产甚至可以采用更精密的工艺技术。金属门技术可以缩小氧化层的实际厚度,满足高性能晶体管对门氧化层的严格要求。
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