英飞凌开发157纳米曝光技术[新闻热点]

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英飞凌开发157纳米曝光技术

发布时间:2003年6月27日点击次数:19

来源:中电网作者:

英飞凌科技与科莱恩公司(Clariant)业务部门日前宣布共同签署一项协议,将合作开发157纳米微影技术用光阻材料,加速这项技术早日进入量产。这项计划所要开发的光阻材料将帮助英飞凌进行生产55纳米结构DRAM半导体芯片的157纳米技术认证。

国际半导体技术发展蓝图描述了未来芯片世代所需的技术与材料,并预测55纳米结构产品将在2007年初进入量产,要达成这个尺寸的一项可行主流技术为157纳米微影,它是一项采用氟分子雷射发射157纳米波长真空紫外光的技术。在此之前Intel公司宣布从157纳米工具撤退,转而支持EVV,因为该公司预计在预定推出157纳米工具的时间之前无法解决所有的问题。然而,德州仪器、摩托罗拉等公司并没有放弃157纳米工具。英飞凌也加入了支持的阵营,将在其位于德国德累斯顿的制造厂开展研究,希望2007年能在55纳米工艺上制造DRAM芯片。

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