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低厚度SOD-123FL封装

发布时间:2003年7月1日 点击次数:32
来源:中电网   作者:
 
安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD-123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的瓦特/ mm2  热性能比SOD-123提高达149%,比SMA提高达90.5%,比PowerMite提高达26.5%。SOD123FL厚度(最大为1mm)比标准SOD123封装低25%或以上,适宜电路板空间受限的便携应用。
      
SOD-123FL封装的引脚结构和线夹设计,允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更好的浪涌电流能力,适合瞬态电压抑制应用。安森美半导体在新型封装内采用低泄漏电流硅技术,可节省能量。

SOD123FL采用100%锡(Sn)涂覆所有外表电镀面。其在260° C下回焊,达到1级潮湿敏感度等级(MSL),同时与现有回焊工艺逆向相容。

安森美半导体已推出50款具实效的SOD123FL封装标准元件。目前可提供以下器件:
-SMF 5.0:5V至170V的200瓦TVS器件系列。

-MBR120VLSFT1:1安培、20伏肖特基功率整流二极管,具极低正向电压,可延长便携应用的电池寿命。

-MBR120LSFT1:1安培、20伏肖特基功率整流二极管,具低正向电压,可延长可延长便携应用的电池寿命。

-MBR120ESFT1:1安培、20伏肖特基功率整流管,具低漏电。

-MBR140SFT1:1安培、40伏肖特基功率整流管,具优化的低正向电压和低泄漏。

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