 |
 |
 导航:老古开发网首页→文章索引→文章分类→新闻热点→[Chartered为英飞凌生产功率IC]
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
Chartered为英飞凌生产功率IC |
| 发布时间:2003年7月14日 点击次数:16 |
| 来源:中电网 作者: |
英飞凌科技与Chartered半导体制造公司签定了一项多年合约,英飞凌将使用Chartered的3号生产线,大规模生产功率MOSFET。 Chartered将在它的Fab2厂安装英飞凌的OptiMOS技术,为英飞凌生产功率控制及电源管理器件。据此协议,它还将使用英飞凌的CoolMOS工艺进行生产。英飞凌表示,OptiMOSa工艺在Chartered的Fab2厂运转非常好,掩膜层数比典型的CMOS工艺流程减少了。这将使芯片片价格比Fab2厂的普通CMOS产品低。 这项合作也是英飞凌外包芯片的一部分。在此之前,英飞凌已经与台湾Nanya技术公司,Winbond电子公司以及中芯国际签定了代工协议。在存储器方面,年初英飞凌与其外包合作者台湾的ProMOS技术公司闹翻了。 用于Fab2厂的OptiMOS工艺预计在年底能够通过验收,2004年达到量产。作为协议的一部分,Chartered还将为英飞凌提供不采用OptiMOS工艺的产品。 |
|
|
|
 欢迎进入老古论坛进行讨论
[新闻热点] 相关文章:  ST推出180纳米嵌入式闪存简介:
意法半导体日前宣布即将开始供应采用180nm互补MOS技术的嵌入式闪存。ST的180nm嵌入闪存技术使每个闪存单元仅占0.37um2硅片面积，降低了在芯片上制造存储阵列所需的硅面积。 这项新技术特别适合汽车应用。在汽车应用中，嵌入式闪存广泛用于主要功能的片上系统解决方案(SoC)，如发动机管理单元和导航及信息系统。这项技术支持主流核心控制器如汽车应用中被广泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10，以及多处理器体系结构。内置这些核心的演示芯片正在接受用户在全温度范围的验证。 这个180nm嵌入式闪存技术兼容基本的180nm逻辑工艺（单元库和核心），宏单元灵活，可以快速定义高达10兆位...... 基于TCAM的高性能网络搜索引擎
有三种GPS定位方式的手机芯片
1-5月上海高新产品出口创汇达52亿美元
夏普与TI推拍照手机参考设计
飞利浦推出快速I2C总线控制器
NI推出紧凑型视觉系统
TI D类音频放大器获LG手机选用
构建华东第一条射频电路测试生产线
今年封装测试设备支出增长26% |
|
|
|
下一个:
上一个: