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Chartered为英飞凌生产功率IC

发布时间:2003年7月14日 点击次数:16
来源:中电网   作者:
 
英飞凌与Chartered公司签定了一项多年合约,英飞凌将使用Chartered的3号生产线生产功率MOSFET。

英飞凌科技与Chartered半导体制造公司签定了一项多年合约,英飞凌将使用Chartered的3号生产线,大规模生产功率MOSFET。

Chartered将在它的Fab2厂安装英飞凌的OptiMOS技术,为英飞凌生产功率控制及电源管理器件。据此协议,它还将使用英飞凌的CoolMOS工艺进行生产。英飞凌表示,OptiMOSa工艺在Chartered的Fab2厂运转非常好,掩膜层数比典型的CMOS工艺流程减少了。这将使芯片片价格比Fab2厂的普通CMOS产品低。

这项合作也是英飞凌外包芯片的一部分。在此之前,英飞凌已经与台湾Nanya技术公司,Winbond电子公司以及中芯国际签定了代工协议。在存储器方面,年初英飞凌与其外包合作者台湾的ProMOS技术公司闹翻了。

用于Fab2厂的OptiMOS工艺预计在年底能够通过验收,2004年达到量产。作为协议的一部分,Chartered还将为英飞凌提供不采用OptiMOS工艺的产品。

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