Hynix发布0.18微米高压制程技术[新闻热点]

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Hynix发布0.18微米高压制程技术

发布时间:2003年8月31日点击次数:11

来源:中电网作者:

Hynix半导体日前表示,已开发出0.18微米高压制程技术,该技术为制造LCD驱动IC等要求高压的非内存半导体组件所需的关键制程技术。与以前的技术相比,该技术可使芯片面积缩小20~30％,有助于手机的小型化与轻型化。同时,采用该技术,可将源驱动器、栅驱动器、控制器、整流电路与SRAM整合为单一芯片,有助于降低制造费用。

Hynix表示,已将此技术应用于单芯片TFT-LCD驱动IC,并提供客户试制品。同时还表示,预定自下个月正式开始量产。计划通过简化制程,在今年年底前完成低功率高压制程的开发。

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