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英特尔美光抢闸推50纳米闪存 挑战三星

发布时间:2006年8月20日 点击次数:506
来源:pconline   作者:
 

    三星在NAND型闪存市场已经占有超过50%份额,并且一般会最先引入最新的闪存制造工艺,不过这种情形最近受到Intel和镁光的合资闪存公司IM Technologies的挑战,后者最先宣布推出50纳米芯片的样片。

  这是IM Technologies宣布合资后的首个大事件。根据星期二公布的消息,该芯片容量4GB,目前只能小量供货。50纳米产品的批量生产将在2007年开始。发言人Daniel Francisco拒绝评论到时闪存的产能。

  三星上星期宣布它已经开始生产8Gb的60纳米芯片,并且将两个4GB的封装堆叠成8GB的闪存芯片,每个4GB的封装包含8片垂直堆叠的8Gb芯片。

  IM表示要扭转三星的统治地位,镁光的内存副总裁Brian Shirley表示:“镁光2004年使用90纳米制程进入NAND型业务。在短短数年内加之和Intel的合作,我们现在对使用顶尖制造技术推出领先的产品成竹在胸。”镁光属于NAND型闪存集团,目前市场份额占4%,排在第四位,而Intel则是新手。

  Intel是全球第二大NOR型闪存制造商,不过在NAND型闪存开发上没有任何经验。IM生产的NAND型闪存主要别镁光和Intel的产品采用,包括使用Robson闪存缓存技术的主板。不过,IM还有一份“长期”合约,就是供应苹果公司iPod播放器的闪存。Intel透露,苹果公司预付了5亿美元。Intel和镁光分别为合资公司投入了约12亿美元。


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