IBM公司和斯坦福大学近日宣布，双方将进一步联合深入研究自旋电子学（spintronics），这种技术未来可发展为让高速数码相机和电脑在刚接通电源时就立即工作。

自旋电子科学与应用中心承担的这项研究将在IBM公司的Almaden研究中心进行，该中心位于加州的San Jose，在斯坦福大学的Palo Alto园区附近。

自旋电子学涉及对从薄膜上发射的磁场进行精确控制。磁场产生电阻，电阻的高与值和低值可被分配为一或零。通过控制磁场和对薄膜不同点上的电阻层次进行解释，研究者可得出数字数据的结论。

这种技术的比喻名称源其自旋式的电子工作方式。

自旋电子学事实上已经诞生有些年了。IBM生产的磁盘驱动器磁头就采用了巨型磁阻抗技术（GMR)，该技术在1997年即利用了自旋电子学原理。

磁性随机存取内存（MRAM)将成为自旋电子学整合应用的下一个领域。在理论上，MRAM可储存相当大数量的数据，消耗很少电力，其运行速度要比普通闪存快的多，而且可以永久保存。

找到一种能替代闪存的储存方法是半导体市场的一项急切任务。闪存用在手机、数码相机与其他设备的储存卡上。对闪存的市场需求正在急速增长。 然而，支撑闪存的基础技术正在变得日益难于突破，几乎所有主要制造商都在研究新的替代方案。

评论人士和竞争对手指出，MRAM距离实际替代闪存还有很长的路要走。作为非传统内存，IBM必须展示MRAM可以在技术上低成本地大量生产。英特尔公司也指出，MRAM的单片体积过大，因此难于插入数码相机这类小型设备。