美国IBM日前面向32nm级工艺试制成功了内存单元面积仅为0.143μm2的6晶体管型的SRAM（IBM的发布资料）。采用氧化膜厚度为25nm的SOI（绝缘体上硅）底板。据IBM称,虽然此前台湾TSMC（台积电）曾在2004年6月公布的0.296μm2为全球最小记录,但此次相对这一记录减少了30%、实现了“全球最小的内存单元面积”（IBM）。该技术已在2004年12月13日于美国旧金山召开的元器件技术国际会议“IEDM 2004（2004年国际电子器件会议）”上发表。演讲序号为11.1。

　　试制成功的内存单元尺寸为0.27μm×0.53μm。＋1.0V运行时的静态噪音容许度（SNM）为148mV。硅化物（Silicide）层采用了二氧化钴（CoSi2）。原来采用的镍硅（NiSi）等硅化物材料不适用于较薄的SOI底板及间隔狭窄的隔离层。触点(Contact)采用钽（Ta）,间隔为50nm。导通状态下的泄漏电流,与此前采用较厚的二氧化钴层,以及间隔为60nm的隔离层时相同。硅化物层的薄膜化及沟道（Trench）结构的形成方面,采用了波长为248nm的曝光技术和基于电子光束的曝光技术。