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同和电子开发出波长为325～350nm的深紫外LED |
| 发布时间:2008年5月28日 点击次数:55 |
| 来源:日经BP社 作者: |
采用了在蓝宝石底板上高温外延生成的AIN层模板,并结合使用从美国帕洛阿尔托研究中心（Palo Alto Research Center）引进的紫外LED外延生长技术。同和电子具有制造高品质AIN模板的技术,该公司介绍说,用AIN模板作为缓冲层,可有效降低促使结晶生长的氮化镓（GaN）材料的变形。 目前,该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验。力争2008年度内开始样品供货。 |
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