英特尔公司称，它将在第三季度开始用200mm晶片以90nm工艺生产NOR型闪存。

英特尔营销主管Brenden Mielke表示，在从奔腾产品转型的工厂中使用200mm晶片能够降低资本成本，从而更好地与三星的300mm产品进行竞争。

三星在2003年9月份开始生产90nm NAND型闪存，现在其NAND闪存的月产量已经超过1万300mm晶片。

Mielke表示，英特尔希望能够在以后几年恢复其领先地位，并占据整个闪存市场，其中包括占三分之一份额的大容量存储器市场。为了占据大容量存储器市场，英特尔正试图采用其NOR单元。

这样做是比较困难的，因为NOR闪存单元的尺寸是大容量存储器所用NAND闪存单元的2.5倍，并且写入的速度也慢得多。据英特尔闪存产品主管Peter Van Deventer称：“我们相信在今后一年的时间内，能够将NOR的写入速度提高10倍，在今后一年半的时间内提高30倍。”Mielke表示，英特尔还没有确定进入大容量闪存市场的具体日期。

为了开发可行的大容量存储器产品，英特尔还需要跟上闪存处理技术的步伐。但据三星表示，它将在2005年上半年把闪存产品向大容量产品移植，使NAND闪存的容量达到4GB。英特尔NOR型闪存的最高容量则为256MB。