产品说明：

这三款产品包括控制MOSFET IRF6622、同步MOSFET IRF6628和IRF6629,主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块,以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果,从而提高功率密度。

IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低(Qg=12nC),有助减少开关损耗。经过优化的同步MOSFET IRF6628和IRF6629,不但传导损耗低,导通电阻RDS(on)也很低,分别只有1.9mΩ和1.6mΩ。IRF6622 采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积,而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。

新型25V DirectFET是专为每相位20～30A的器件设计的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中,如果每相位采用1对IRF6622和IRF6628,再配合IR XPhase芯片组,那么在130A下即可实现88%的效率。在相同条件下,IRF6622和IRF6629的组合效率更高,在130A时可达88.5%。