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美国两公司推出新型40Gbps光通信芯片 |
| 发布时间:2001年12月31日 点击次数:7 |
| 来源:中电网 作者: |
美国InPhi公司正在开发50Gbps光通信芯片,该芯片与10Gbps（SONET的OC—192）芯片尺寸相同,耗电量也相差无几。最初的产品制造技术计划采用添加碳的InP异质结双极晶体管（HBT）。但是InPhi公司表示并不拘泥于这种添加碳的InP HBT制造技术。该产品包括4对1和1对4的多路复用器集成电路（IC）。速度可达50Gbps以上,而耗电量却在900毫瓦以下。包括调制器驱动器在内,该产品将于2001年内供应工业样品。 与此相反,美国Acelo Semiconductor公司正在利用GaAs技术的模拟稳定型HEMT（PHEMT）制造40Gbps （OC—768）光通信芯片。40Gbps产品中备有调制器驱动器和阻抗前置放大器（TIA）。其中调制器驱动器以12Gbps的速度运行时其峰峰输出电压为5伏。该公司虽然认为在模拟处理芯片中GaAs PHEMT是当前最合适的产品,但在新一代芯片中计划采用InP PHEMT制造技术。InP HBT制造技术适用于数字处理芯片和数字模拟混载芯片。 |
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