DRAMeXchange预计，由于NAND闪存芯片的边际收益比DRAM芯片更高，以及为了满足不断增长的NAND闪存需求，芯片制造商们将其更多的DRAM产能转向了NAND闪存的生产。
由于DRAM与NAND闪存产品可以在同一生产线上生产，许多DRAM制造商，包括三星电子，现代，美光及英飞凌均是两种产品都生产。
在2003年，以0.12微米工艺生产的1Gbit NAND闪存8英寸晶圆平均价格是其他存储产品的两倍；于是在2004年，DRAM制造商们便开始将大量的产能转向NAND闪存芯片。结果造成2004年1Gbit NAND闪存的现货价格急剧下降。
DRAMeXchange预计，2005年DRAM厂商们将转移更多的DRAM产能到2Gbit的NAND闪存产品上。NAND闪存产出占DRAM及NAND闪存芯片总产量的21%，据DRAMeXchange称，2005年这一比例将增至27%。