老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引文章分类新闻热点→[三星电子推出576MB RDRAM]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

三星电子推出576MB RDRAM

发布时间:2001年9月30日 点击次数:8
来源:中电网   作者:
 
三星电子9月27日推出了业内首片576MB Rambus DRAM(RDRAM)。该存储器采用0.12微米制造工艺,工作频率高达1.066GHz,约比PC133 SDRAM快8倍。

高性能576MB RDRAM主要用于高端PC、工作站和服务器产品,在数码影像应用和高性能绘图子系统也将站有一席之地。

三星电子透露,其0.12微米制造工艺可大幅压低RDRAM成本。RDRAM需要较大的基片(die),但目前其体积已可缩小到仅比SDRAM大不到1%。 0.12微米制造工艺还可用于128和256MB RDRAM的生产,可将每片晶圆的芯片产量提升47%。该公司计划从2002年第二季度起量产576MB RDRAM。

欢迎进入老古论坛进行讨论
[新闻热点] 相关文章:
日立数据携手Brocade,共推SAN网络产品
简介:
日立数据 (HDS)日前和SAN基础设施供应商Brocade通信系统公司共同推出了一套"预制"SAN --under 9200 SAN Enabler (SE),将Hitachi Freedom Storage Thunder 9200存储系统和两台Brocade SilkWorm结构交换机集成为一件式架装配置。 Brocade SilkWorm结构交换机能为SAN提供智能联网基础,而Thunder 9200是HitachiFreedomStorage 9000全光纤系列之一,具备高度的扩展性和很好的性能。采用这种组合产品,用户可以通过SAN将主机和存储设备迅速连接,......

iSupply调低2001和2002年半导体业收入预测
Altera进军DSP 市场
意法半导体在中电网成功举行在线座谈
Infineon 削减5.5亿美元开支
Sony产品部件采购转向亚洲
美股阴云密布
英特尔追加在华投资3亿美元
NEC重组电子元件业务欲做世界第三
生物芯片北京国家工程研究中心奠基
 
下一个:[新闻热点]飞利浦半导体率先通过CC-EAL5+认证
简介:
飞利浦半导体日前宣布其P8WE6017集成电路通过了智能卡集成电路通用标准CC-EAL5+级别认证,成为全球首个获得该证书的企业。 P8WE6017采用0.35微米技术,是飞利浦半导体WE系列智能卡安全控制器集成电路。通过CC-EAL5+认证,表明飞利浦半导体的产品是非常安全的芯片卡集成电路平台。 EAL5+评估系统以新的智能卡集成电路平台保护纲领(BSI-PP-0002)为依据,由Eurosmart签署,符合国际可接入标准CC/ISO 15408和德国签名法。其保护纲领是由飞利浦半导体、Atmel、日立和Infineon共同制定的。飞利浦半导体在第二届国际通用标准大会上率先得到了......
 

上一个:[新闻热点]移动通信网络市场2004年将达1200亿美元

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:10分钟 执行时间:0毫秒