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Infineon将和Micron一起开发高速DRAM |
| 发布时间:2001年6月2日 点击次数:5 |
| 来源:中电网 作者: |
这种新的RLDRAM内存具有独特的内部结构,它的反应时间只是目前内存芯片的几分之一,所以它的存取速度能达到每针600Mbps,它将填补DRAM和SRAM之间的速度空白。这两家公司一致认为,RLDRAM对高速数据通信网络来说,是一个性价比最优的选择。 这两家公司同时表示,他们不只是想制定一个标准,他们将共同努力,采取各种措施保证这种内存在功能甚至在插针上都保持全面兼容。这种技术将进一步推动内存技术的发展,满足用户们设计高速数据通信网的要求。 |
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