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----半导体业将能够保持现有创新加速度至2010年
美国业界和政府官员近日联合宣布,全球第一款利用远紫外线(extreme ultraviolet—EUV）蚀刻技术制造计算机芯片的完整设备原型机已经问世。据预测,到2005年至2006年,利用EUV技术生产的微处理器的速度将达到10GHz。
这个命名为“工程试验支架”（ETS）的原型机是由美国能源部下属的三个实验室和名为EUV LLC的半导体企业联盟共同开发的。这一企业联盟的成员包括INTEL、AMD、摩托罗拉、Micron科技Infineon和IBM等。EUV LLC的技术人员将在接下来的几个月里对该设备进行试验,最初的这类设备将用来制造0.07微米的芯片。EUV LLC的合作伙伴和平版印刷工具供应商将在该原型机的基础上进一步改进平版印刷技术,以便开发出芯片批量生产所要求的商用原型机。EUV LLC已与美国40多家半导体器件厂商建立了合作关系,确保能够获得将该项技术商业化所需的各种关键元件。
目前芯片制造商普遍使用深紫外线光刻技术,而且已有很多芯片制造商转向0.13微米的芯片制造工艺,但这种深度紫外线蚀刻工艺在理论上仅能使印制电路的最小尺寸为0.1微米。当印制电路的最小线宽达到0.1微米时,莫尔定律就会遭遇瓶颈,估计INTEL和AMD等芯片制造商到2004年或2005年就会碰到这种障碍,无法再生产更快速的芯片。这就是说,如果芯片厂商要突破这一障碍,势必需要新的蚀刻技术。EUV LLC企业经理Chris Philippi说：“传统蚀刻技术前头有一堵墙挡道,而EUV正是让我们能继续依循莫尔定律的重大技术突破。随着线宽的缩小,用于光蚀刻过程的光波波长也必须缩短。目前普遍采用的深度紫外线的波长为248纳米,相比之下,EUV使用的波长为13纳米,而这种光刻技术能够使印制电路的最小线宽可以达到0.03微米,从而使当今半导体业继续保持现有的创新加速度至2010年”。
值得一提的是,Nikon、Canon及东芝等日本厂商在进行0.1微米系统级芯片的设计过程中均采用直接写入（Direct Write）电子束微影技术,并着手发展相关系统。日本厂商认为EUV技术的成本太高,直接写入电子束较其他先进技术更具弹性,尤其适用于各种0.1微米或以下的SOC设计。另外,IBM虽然表示支持EUV,却未放弃自行尝试新的制造技术,而且IBM仍会继续支持与Nikon联手发展的电子束蚀刻技术。
中国电子报
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