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日本日亚化学日前成功地开发出发光波长为365nm、发光功率为100mW的发光二极管(紫外光LED),并将于2003年春季开始提供工业样品。这种二极管将主要面向医疗器械及分析设备所使用的紫外光光源。由于365nm的波长与高压水银灯所产生的紫外光相同,因此将来还设想通过与可以将波长由紫外光转换成RGB的萤光材料配合,应用于照明产品。此前日亚化学工业也一直在销售发光功率相同的紫外光LED,但其波长为380nm,发光功率为100mW。 该紫外光LED的特点是,尽管波长比过去产品(380nm)更短,但却实现了相同的发光功率。此前面临的问题是:波长一旦小于380nm,发光功率就会急剧降低。这是因为位于紫外光LED芯片中的GaN层会吸收一定波长的紫外光。日亚化学工业此次通过在紫外光LED芯片的生产中采用不设置GaN层的结构,从而抑制了对紫外光的吸收。 此次,这款紫外光LED的规格如下:最大额定电流500mA、电压+4.6V的时候,发光功率可达100mW。紫外光LED芯片的尺寸为1mm×1mm,约为普通LED芯片的10倍。由于紫外光会使树脂材料老化,因此在配备紫外光LED芯片的封装中,完全没有使用有机材料。此前,该公司也曾经在其它产品中使用将芯片尺寸约增加10倍,以及非树脂材料封装技术。(日经BP社)
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