产品说明：

RFMD(RF Micro Devices)推出氮化镓 (GaN) 高电子迁移率 (HEMT) 高功率晶体管系列，并且正在针对顶级无线基础设施及WiMAX 基站客户进行送样。这些晶体管的送样代表了 RFMD 在 0.5μm 线度 GaN 高功率晶体管工艺方面取得的成就。

在 UMTS 方面，这些高功率器件展示了高达 67% 的出色峰值漏极效率，而在WiMAX 频带方面，这些器件展示了高达 60% 的峰值漏极效率。RFMD 已实现了 16dB 的高增益、在 28V 时高达4W/mm 的高功率密度，以及 1000 小时的高温度可靠性结果。

面向无线蜂窝市场的 RFMD GaN HEMT 晶体管主要针对 UMTS 或 3G 基站市场细分，这些产品包括 RF3820 (8W)、RF3912 (60W)、RF3913 (90W) 及 RF3914 (120W)。针对新兴 WiMAX 基站市场细分的 RFMD GaN HEMT 晶体管包括 2.5GHz RF3916 (50W)、RF3917 (75W)、RF3918 (100W) 及3.5GHz RF3821(8W)、RF3919 (50W)。