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2005年半导体业12大趋势 IBM可能售IC部门

发布时间:2005年1月4日 点击次数:1933
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三星将成为半导体世界的新主宰,台积电-联电可能在2010年前合并,英特尔将变得不像现在这样重要,AMD-IBM-Chartered将会出现大合并,瑞萨合并东芝,ST合并Freescale,Philips合并Infineon及Micron。美国著名的半导体新闻和分析媒体SiliconStrategies最近发布了2005年甚至更远时间里全球半导体产业的12个预测。

  1.IC产业库存仍是问题。2004年半导体产业增长22.7%,2005年增长率为零。尽管单位出货量将上升8%,但2005年IC市场的增长率将为零。目前的库存修正问题将在2005年第一季度或者第二季度初得到缓解。

  2.IC产业将大幅后退,IC设备市场下滑。2005年半导体制造设备产业形势糟糕,因资本支出将会下降。目前预测2005年资本支出将比2004年减少12%。这个预测只是一个参考点。2004年IC制造设备市场增长50%,但2005年将下降20%。总体来看,2005年IC产业将大幅后退。在目前市况低迷之际,IC厂商仍在消化产能。

  3.全球大量300毫米芯片厂投产。在未来两年内,300毫米芯片厂的产能将上升64%,有26家新的300毫米芯片厂建成并投产。目前,37家正在运行中的300毫米芯片厂中约有1/3生产内存芯片,不到1/3的代工生产芯片,约有1/4在生产逻辑IC。产能最大的300毫米芯片厂是力晶半导体、联电、三星和英飞凌拥有的那些工厂。

  4.中国将兴建更多的300毫米芯片工厂。宏力半导体计划在中国兴建一家300毫米芯片工厂,中芯国际目前正在建设一家300毫米芯片工厂,将有更多的公司结盟,并在中国兴建更多的300毫米芯片工厂,如Hynix-意法半导体在中国兴建合资300毫米芯片工厂。飞思卡尔和飞利浦也希望合作兴建一家300毫米芯片工厂。

  5.NAND市场竞争激烈。2005年新的NAND厂商将获得可观的市场份额,而现有厂商却面临威胁。在2004年第三季度,三星是最大的NAND闪存供应商,市场份额为54.2%,以下依次是东芝(29.2%)、瑞萨科技(9%)、Hynix(5.1%)、英飞凌(0.6%)和意法半导体(0.4%)。新加入NAND市场的厂商将会夺得市场份额,特别是Hynix将夺走其他厂商的市场,东芝和三星将继续主导该市场,美国美光(MicronTechnology)也会大有斩获。

  6.NAND和NOR闪存仍将称雄。SiliconStrategies的LaPedus认为,2005年下一代非易失性内存市场将表现低迷。虽然Altis、IBM、飞思卡尔、英飞凌和其他厂商都宣布推出了MRAM,但2005年MRAM的出货量将接近于零。包括FRAM和OUM在内的其他技术,形势也不会太好。这些新奇的内存芯片难以制造,传统的NAND和NOR闪存仍将称雄一段时间。

  7.DVD芯片市场前景不妙。从2004年到2008年,包括DVD播放机和录像机在内的总体DVD半导体销售额将以11%的复合年增率增长,在2008年接近37亿美元。DVD播放机半导体销售额预计将以负21%的复合年增率增长,在2008年达到6.378亿美元。DVD录像机半导体销售额预计将以39.1%的复合年增率增长,到2008年达到30亿美元。目前中国控制经济过热、市场库存过多以及其他问题,将会阻止DVD播放机和录像机半导体销售的增长,这种影响将会持续到2005年。

  8.芯片代工厂商合并成潮。马来西亚的两个芯片代工厂商———1stSilicon(Malaysia)Sdn.Bhd.和SilterraMalaysiaSdn.Bhd.将于未来两年内合并。数年来,这两家厂商关于合并的谈判时断时续,但预计未来他们会少说多做。在未来两年内,Mag鄄naChipSemiconductorLtd.可能会买下DongbuAnamSemiconductorLtd.。MagnaChipSemiconductorLtd.以前是HynixSemiconductorInc.的非内存部门。

  9.IBM可能出售IC部门。在2010年底以前,IBM可能出售其微电子部门(MicroelectronicsDivision),它只是一个非核心业务,而且耗费资源。IBM可能出售IC部门和工厂,并与芯片合作伙伴特许半导体成立一个合资企业。特许半导体是新加坡的一家芯片代工厂商。三星电子可能会成为IBM的一个合作伙伴。

  10.硅芯片价格持平。单位出货量增长8%至9%,价格下跌幅度不会超过1%至2%,硅芯片产业在下一个10年的年增长率将为7%。每年硅芯片价格下跌幅度将小于12%的年平均值。目前的300毫米芯片价格预计将保持在每平方英寸2.25美元左右,或者每个芯片250美元。

  11.45纳米工艺不会及时面世。面向45纳米工艺的沉浸光刻(Immer鄄sionlithography)可能适时出现,但产业将继续努力寻找一个像样的高k解决方案。原子层沉积(ALD)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)不会准备就绪,能够用于生产高k材料。金属门、FUSI和其他技术是纸上谈兵,将难以应用。小于2.5的低k将仍然是活动目标。45纳米技术难以出现,预期45纳米工艺将在2008年下半年面世。

  12.巨头合并半导体产业翻天覆地。主要半导体巨头间即将上演兼并收购浪潮,全球半导体产业将发生翻天覆地的变化。三星将成为半导体世界的新主宰,台积电-联电可能在2010年前合并,英特尔将变得不像现在这样重要,AMD-IBM-Chartered将会出现大合并,瑞萨合并东芝,ST合并Freescale,Philips合并Infineon及Micron,中芯国际和宏力半导体将成中国的发电机,TI-ADIBroadcom-Qualcomm合并成为fabless巨头。

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