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Intel晶圆厂导入65纳米工艺

发布时间:2005年5月17日 点击次数:24
来源:中电网   作者:
 
英特尔CFO- Andy Brant日前透露,英特尔决定同时在5个12英寸晶圆厂导入65纳米(0.065微米)制造工艺,并称此举可节支20亿美元。

据彭博社报道,率先导入65纳米工艺的英特尔晶圆厂有美国奥勒冈州晶圆厂D1C与D1D,新墨西哥州的Fab 11X与爱尔兰Fab 24,目前正从8英寸厂改为12英寸厂的亚利桑纳州Fab 12C也将导入65纳米制造工艺。

尽管IBM、惠普近期都不约而同地宣布裁员、重整以求节省成本,但英特尔却认为市场需求增长放慢一说实属过虑,目前它还无法完全满足客户的订单需求。Brant称,他并未见到市场需求增长减缓的迹象。事实上,2005年上半年英特尔还面临供不应求的严重问题,预计今年下半年市场需求还将有提高,英特尔甚至准备提高芯片组、微处理器等产品的库存来应付,因此英特尔并不担心采用新工艺后芯片产量倍增可能出现产能过剩问题。

Brant预测,导入下一代的65纳米芯片制造工艺,可比现有的90纳米制造工艺节省相关成本达20亿美元,其中部分节省下来的成本来自于每片晶圆切割芯片数量倍增,这无形中等于增建了新的生产线。

英特尔制造部门总经理暨资深副总裁Robert Baker强调,英特尔目前优先考虑提升现有晶圆厂制造工艺水平,筹建新厂尚在其次。Baker称,将现有90纳米工艺的制造设备换成65纳米工艺的相应设备,其支出仅相当于兴建1座全新厂房及设备的1/3。

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