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采用强化散热的超小型封装的功率MOSFET

发布时间:2006年6月26日 点击次数:554
来源:今日电子   作者:
 
 生产商:安森美半导体 ON SEMICONDUCTOR

 产品说明:

新推出的功率MOSFET产品μCool系列采用强化散热的超小型WDFN6封装,主要针对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用。

新推出的六款μCool产品采用外露漏极DFN封装技术,可以在极小的2mmx2mm面积上取得卓越的热阻(38℃/W)与额定功率(1.9W),额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了190%,比SD-70-6扁平引脚封装提高了130%。由功率的角度来看,采用WDFN6封装的μCool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。

器件特点:
·20V P-通道单NTLJS3113PT1G与双NTLJD3115PT1G均经优化,适用于锂离子电池充电应用,在4.5V时导通电阻RDS(on)分别为42mΩ与100mΩ。
·20V P-通道FETKy®NTLJF3117PT1G(100mΩ)经优化,适用于将3V到4V电池电压转换为微处理器使用的1.1V电压应用。
·30V N-通道NTLJS4159NT1G(35mΩ)与FETKy NTLJF4156NT1G(70mΩ)经优化,适用于如白光LED背光的同步升压应用。
·30V N-通道双NTLJD4116NT1G(70mΩ)经优化,适用于低电压端开关,例如照相机快门与闪光。


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