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英特尔将转向45纳米生产工艺

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8月19日外电消息,由于0.065微米(65纳米)生产工艺即将正式问世,因此在即将举办的“英特尔开发商论坛”(IDF)上,英特尔公司将开始讨论0.045微米(45纳米)生产工艺。

据消息人士透露,电流泄露问题已经解决,这里指的是解决,而非减轻。除非IBM、AMD也能做到这一点儿,这将是英特尔公司获得的一大优势。这将使得它在移动,以及其它对能耗敏感的领域获得更大的优势。

根据我们了解的情况判断,在电流泄露问题方面,0.065微米工艺要优于0.09微米工艺,但只是有所进步,而没有彻底解决这一问题。0.045微米生产工艺也取得了一些进展。

这意味着在0.045微米生产工艺问世前,Yonah将继续存在下去,Merom芯片的能耗将略高于大多数低能耗笔记本电脑芯片。双内核的Merom的能耗为9瓦特,单内核Yonah的能耗只有5.5瓦特。当Penryn问世后,低耗将进一步降低,Yonah也将“退休”。
来源:中电网   作者:  2005/8/23 0:00:00
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