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海思开发出3G手机应用芯片 达到硅片品质

发布时间:2005年9月5日 点击次数:35
来源:中电网   作者:
 
8月29日消息,Cadence公司与中芯国际(SMIC)日前宣布,海思半导体已成功设计出一款专为手机产品设计的高性能3G手机应用芯片。

该芯片使用了Cadence Encounter数字集成电路(IC)设计平台和中芯国际的生产工艺。该芯片的设计符合3G无线通信标准,用于无线宽带接入。此外,Cadence和中芯国际现在能为共同的客户提供支持低功耗要求的数字设计参考流程。

无线手持应用芯片的市场不断扩大,需要有功能强大且高效能的对功能强、效能高的系统级芯片的需求也随之扩大。借助这个Encounter流程,海思半导体降低了在时序收敛、信号完整性和可量产设计方面的风险。

海思公司通过改善芯片面积,性能和布线后的功耗,使得该3G芯片能快速实现研发成功,并一举达到了最好的硅片品质(QoS)。

“使用Cadence Encounter的平台和中芯国际的工艺,我们为中国竞争激烈的无线市场设计出了一款3G手机高品质的应用芯片”,华为技术海思公司的资深副总裁Ai Wei艾伟说,“与Cadence和中芯国际的通力合作帮助我们缩短了开发时间,降低了开发成本,满足了我们客户的要求。我们希望将来能继续使用新的基于Encounter的设计流程,帮助我们提供实现低成本、低功耗的设计。”

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