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IBM开启Xbox 360专用芯片制造 日期提前 |
| 发布时间:2005年11月4日 点击次数:41 |
| 来源:中电网 作者: |
IBM公司表示,专为微软下一代游戏主机Xbox 360设计的芯片正在公司位于纽约州East Fishkill的制造工厂及新加坡Chartered半导体集团制造工厂进行生产。Chartered半导 体集团所属新加坡制造工厂是该芯片第二来源,IBM公司发展计划的合作伙伴。 下一代游戏主机Xbox 360专用芯片由IBM公司和微软共同设计和开发。两家公司在两年前就宣布将共同开发新型芯片。 为了满足微软抢占假日季节而在全球快速推出下一代游戏主机Xbox 360的要求,IBM公司表示该芯片的设计开发周期都比原本协议中要求的都快了许多。正常需要30至36个月才 能完成的芯片制造过程缩减到了24个月,但在开发周期缩短的同时,IBM公司表示一定保证该芯片的开发绝对没有出错。 IBM公司表示Xbox 360专用芯片拥有特制IBM 64位PowerPC核心特性。Xbox 360专用芯片包含三个核心,每个核心能够处理两个线程,并有超过3千兆赫的时钟速率,相当与英特 尔公司最快奔腾处理器的处理速度。 Xbox 360专用芯片拥有1.65亿个晶体管,使用IBM90纳米技术制造,能够在减低热量的基础上提高性能。IBM公司表示,Xbox 360专用芯片的前端总线结构(front side bus architecture )被特制为每秒21.6GB的速度以满足运算量的要求以及Xbox 360游戏潜在可提升要求。 IBM公司使用的三核心技术可以让芯片更有效地分离计算任务,并在更少时间内完成更多的计算工作。为芯片加上第二个核心可以在最小化能耗和发热的前提下提高芯片的计算 性能。正确权衡芯片的这两个物理性能对芯片设计非常重要,芯片消耗的能量越多,其发热就越厉害,也就越难以冷却。(硅谷动力) |
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