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我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破 |
| 发布时间:2004年12月8日 点击次数:1887 |
| 来源: 作者: |
通过近三年上千炉的MOCVD材料生长实验和上百次的器件工艺实验,课题组艰苦攻关,积极创新,攻克了氮化镓基激光器研究中材料生长、器件工艺、器件测试等一系列技术难题,将氮化镓材料本底电子浓度降到小于5X1016/cm3,室温电子迁移率达到850cm2/VS,进入世界先进行列。实现了AlGaN/GaN超晶格界面平整度和应力的控制,获得了粗糙度小于1nm的激光器腔面。突破了氮化镓基激光器的测试技术难题,研究开发了与该激光器配套的驱动技术,满足了氮化镓基激光器的测试要求。 氮化镓基激光器是目前氮化镓基光电子材料与器件领域国际上竞争最激烈,技术难度最大,最具挑战性和标志性的研究方向,这种短波长半导体激光器的研发已经成为世界各国科学家研发的焦点和重点。 |
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