芯原公司和SoC嵌入式内存解决方案供应商MoSys日前宣布，双方正在合作通过向芯原的客户提供无缝式的专利技术利用，以进一步拓展MoSys 1T-SRAM技术的采用。

    根据双方达成的合作协议，芯原将把1T-SRAM能力纳入其知识产权(IP)产品组合当中，用于客户在多个代工厂的系统芯片(SOC)设计。

    在这种合作关系下，客户目前有权选择与芯原直接合作来把MoSys的创新型内存技术整合进他们的设计当中，这些设计涉及众多代工厂的选择以及高级加工工艺(如90纳米)。通过利用MoSys已获得专利的1T-SRAM超高密度内存产品，客户能够大大降低他们的硅成本，同时维持高性能和低功耗。