英特尔日前表示，公司已开始450毫米晶圆基片上的微处理器设计的规划。

　　据theinquirer.net网站报道，英特尔资深技术架构师帕罗-加吉尼表示，使用45纳米工艺生产晶片的技术预计到2007年底开始投入应用。加吉尼在因特尔开发者论坛上表示，有关半导体业采用更大规模晶圆的规划预计在2006年--2007年间进行，在2008年部分厂商真正投产。他同时表示，估计只有25%的半导体厂商可能转向12英寸晶圆基片。

　　英特尔将于今年年中做出有关45纳米工艺规划的最后决策，并选择相应的设备。对于32纳米工艺，英特尔按计划将于2007年底做最后决定。加吉尼表示，英特尔一直在积极尝试性能较硅更理想的材料作为复合半导体设备的主要原料，比如铟和锑等合金材料，有可能将必需电压降至200毫伏。