 |
 |
 导航:老古开发网首页→文章索引→索引第3140页 →文章分类→芯片介绍→第18页→[瑞萨发布第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”]
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
瑞萨发布第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” |
| 发布时间:2007年1月21日 点击次数:55 |
| 来源: 作者: |
实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比,在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET（DrMOS）”封装标准（以下称作“DrMOS”）。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品,也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。 R2J20602NP的特性总结如下： （1）40A的最大输出电流 40A的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装,以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。 （2）与当前的瑞萨产品相比,功率损耗降低20%以上 当工作在1MHz开关频率时,其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平（Vin = 12V,Vout = 1.3V）。其输出电流为25A,功率损耗为4.4W——业界的最低水平,比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置,并抑制散热量,从而开发出一个节能的最终产品。 （3）小型封装与第一代产品引脚安排兼容 其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8 |
|
|
|
 欢迎进入老古论坛进行讨论
[芯片介绍] 相关文章:  飞思卡尔推小封装三轴加速传感器MMA73x0L简介: 飞思卡尔正通过引入高敏感度的XYZ三轴加速计，满足当今智能移动设备领域日益增长的移动感应需求。 从MP3播放器到PDA，再到超小的笔记本电脑，当今的消费者正在越来越多地通过其使用的便携式电子设备的种类以及对这些设备的定制方式来彰显自己的个性。便携式设备的设计人员也在不断寻找新途径，以便在不增加设备尺寸的情况下，让设备具有更大的显示屏和更多的新功能。设计人员还结合旨在保护易碎的电子组件安全的移动感...... PCB设计的一些小事情(2)Tensilica和Virage推出针对钻石处理器内核优化的IP设计工具包基于C8051F320 USB接口的数据采集存储电路业界 |
|
|
|
下一个:
上一个: