飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (MLP) 的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。

　　与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nC对比 4nC) 和最低的导通阻抗 (200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数 (FOM) 降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类封装器件中最佳 (3C/W 比 25C/W) 的热阻 (Theta JC),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。

　　飞兆半导体的UltraFET器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量,以便设计出更小型,更高功率密度的DC/DC转换器。

　　飞兆半导体还推出了一款同样采用MLP 3x3封装的150V P沟道平面型UltraFET器件,与这三种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案,

　　这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。