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英特尔:碳基纳米管将成为芯片设计未来之路

发布时间:2006年11月19日 点击次数:36
来源:赛迪网   作者:
 

  11月13日消息,芯片巨头英特尔表示,纳米管技术将成为芯片设计的未来之星。

  据CNET News.com报道,英特尔表示未来纳米管技术必将代替传统的铜有线技术,成为半导体的主要设计根基,凭借该技术更新,目前基本上所有芯片产业的发展桎梏都将得以突破。

  据悉,目前英特尔正在进行碳基纳米管的测试,鉴定其究竟能将芯片性能提高多少。英特尔实验室总裁将在下周美国圣.佛朗西斯科举办的国际SAVS会议上,继续讨论碳基纳米管的技术型问题。据悉,目前芯片巨头正就纳米管芯片技术问题,与加州理工学院、哥伦比亚大学、伊利诺斯大学以及波特兰州立大学进行合作。

  据专家透露,纳米管技术,将有望解决困扰科学家多时的芯片“内连接”问题。根据莫尔定律,每两年芯片元件的尺寸就要缩小一半,然而芯片“内连接”尺寸的缩小,就意味着电阻增大,这也将导致产品的性能下降。实际上,当年之所以从铝过渡到铜芯片材质,从某种意义就是为了避免芯片内连接问题,不过时过境迁,当年铝芯片的问题再次出现在铜芯片领域。

  专家表示,碳基纳米管的导电性要远远好于传统金属,例如之前提到的铝和铜,因此可以很好的解决高电阻带来的性能下降问题。另一方面,纳米的厚度可以达到十亿分之一米,因此在尺寸方面也比传统金属更具有优势。据悉,目前蓝色巨人IBM已经研发出基于碳基纳米管的晶体管。


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