新器件的占位面积较小,为 4.8 毫米×6.7 毫米,且具有高达 100V 及 12A 的高电流密度性能。

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2006 年 11 月 29 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky ,简称TMBS?)与平面肖特基整流器,这些器件凭借较小的尺寸以及处理 100V、12A 电流的能力,可实现高电流密度的电源设计。

    凭借 1.1 毫米的高度以及 4.8 毫米×6.7 毫米的占位面积,这些采用 SMPC 封装的新型器件可在更小的占位面积中提供更多电能,其应用包括：次级整流器以及用于交流到直流与直流到直流转换器的续流电路;用于中小型电源适配器的输出整流;诸如计算机、LCD 显示器及手机等消费类电子设备中的开关模式电源;针对汽车及工业系统中螺线管驱动电路的飞轮与极性保护;用于电信及工业系统的 OR-ing 二极管。

    日前推出的采用 SMPC 封装的三款 TMBS 整流器具有 100V 的额定电压,以及 8A～12A 的高电流密度。16 款新型平面肖特基整流器具有 20V～100V 的额定电压,以及 3A～10A 的高电流密度。所有这些器件均具有超低的正向电压降,以及特殊的宽底板设计,散热性高于具有类似尺寸的其它封装。

    这些新型整流器的单片或双片表面贴装 SMPC (TO-277A) 封装具有与其他 SMD 器件兼容的焊盘,因此在将其用作现有器件的更高性能升级时,无需对 PCB 布局进行修改。
 
    SMPC 整流器规范摘要表

    

产品类别	部件编号	IF (A)	VRRM (V)	IF 及 TJ 时的 VF			IFSM (A)	最大 TJ ( oC )
				VF (V)	IF (A)	TJ (oC)
槽沟式金氧肖特基	V12P10	12	100	0.64	12	125	200	150
	V10P10	10	100	0.62	10	125	180
	V8P10	8	100	0.62	8	125	150
肖特基	SS10P3 与 SS10P4	10	30/40	0.45	10	125	280
	SS8P2L 与 SS8P3L	8	20/30	0.49	8	125	150
	SS8PH9 与 SS8PH10	8	90/100	0.76	8	125	150
	SS5P3 与 SS5P4	5	30/40	0.45	5	125	150
	SS5P5 与 SS5P6	5	50/60	0.62	5	125	150
	SS5P9 与 SS5P10	5	90/100	0.68	5	125	150
	SS3P3L 与 SS3P4L	3	30/40	0.38	3	125	150
	SS3P5L 与 SS3P6L	3	50/60	0.54	3	125	150

    目前,采用 SMPC 封装的这些整流器的样品和量产批量均可提供,批量订单的供货周期为 6～8 周。

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”,是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息,可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。