美信(Maxim Integrated Products)的全资子公司Dallas Semiconductor,推出业界第一款大容量、单片式、表贴非易失(NV) SRAM模块：DS2070W+100(2M×8位)以及DS3070W+100(2M×8位,集成RTC),内置可经受回流焊的电池。

    与目前市面上其他NV SRAM模块不同,DS2070W/DS3070W NV SRAM模块极其简单。该系列器件采用单片式方案,内置可经受回流焊的电池。可以采用标准装配流程很简单的实现该系列器件的安装：可以通过现有的拾取/贴放机从装有器件的卷带上拾取并贴放器件。该系列器件还兼容于标准的SMT工艺,可以承受最长30秒钟的+225℃(+0/-5℃)的峰值回流焊温度。完成回流焊后,该模块可以采用水清洗流程,无需任何附加措施。

    当与竞争对手的传统两片式表贴方案相比,DS2070/DS3070的可回流焊电池就更显其重要性。两片式表贴方案需要额外增加装配工序及成本：安装电池时需要尤其小心,因为当前业界所使用的一次性电池不能采用回流焊。因此,通常都是先采用回流焊工艺将基底(不带电池)焊到的电路板上,然后在装配工序最后阶段才将电池手工安装到基底上。DS2070W/DS3070W免去了这些装配工序,缩短了生产周期并降低了成本。

    DS2070W/DS3070W是一个高度集成的模块,方便使用,器件利用智能电路持续监控VCC,防止意外掉电引起重要数据的丢失。VCC接到模块上时,外部电源对内部的锂锰电池充电,同时为SRAM供电,允许用户修改SRAM的内容。当电源电压超出容限时,器件自动接通电池,并且无条件启动写保护,以防止数据丢失。器件可以无限次执行写操作,与微处理器接口时无需任何附加电路。

    DS2070W/DS3070W单片式NV SRAM模块是全静态存储器,结构和功能上与当前公司现有的单片式NV SRAM模块相类似。该系列模块可以替代SRAM、EEPROM、或闪存,这些器件的容量介于32k×8位至2M×8位之间。不同容量的器件均具有相同的封装形式和引脚排布,方便用户在不改变主体设计的情况下扩展存储器容量。

    DS2070W/DS3070W采用RoHS兼容、27mm×27mm、256焊球BGA封装,与外界环境实现完全隔离。该系列器件规定工作在-40℃至+85℃工业级温度范围。DS2070W+100的起价为$38.41,而DS3070W+100的起价为$42.25(1000片起,美国离岸价)。