国际整流器公司推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF,适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅,额定电流可达35A,其散热表现更加卓越且效率更高,而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。

　　IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通过持续改善影响功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的关键参数,将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作,同时也保持了单个MOSFET的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上,因此现在一个DirectFET MOSFET可以替代两个或三个SO-8封装器件。”

　　该器件的典型10V RDS(on) 非常低,只有29mΩ。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且,IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC,因此可作为隔离式或中间DC总线转换器的原边MOSFET。IRF6643TRPbF采用中级尺寸 (MZ) DirectFET封装。有关新器件的详细数据,详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。

　　IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势,并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能,将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外,DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。有关DirectFET MOSFET封装技术的详情,可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com。