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英特尔09年推出三闸晶体管 降低功耗 |
| 发布时间:2006年7月3日 点击次数:49 |
| 来源:中电网 作者: |
据英特尔组件研究总监Mike Mayber指出,该公司在新晶体管内成功整合了高K介电质、金属闸电极和应变硅。 该晶体管消耗的功率明显低于目前的平面型晶体管。据Mayberry表示,三闸晶体管实现更好的切断电流(off-current),因此IC将耗费更少的泄漏功率。高K值金属闸也减少功率耗损,同时实现更快速度。 Mayberry指出,与最新的65纳米晶体管相较,新型晶体管速度将提升45%,切断电流减少50%。采用新电晶体的处理器以常速消耗35%的总体功率。 英特尔计划采用这种晶体管结构作为45纳米节点以上未来微处理器的基本建构模块,这意味着即将到来的65纳米和45纳米节点将以常规方式实现。英特尔预计2009年量产32纳米组件,2011年生产22纳米组件。 |
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