日立和瑞萨科技日前在国际电子器件大会上声称改进了其相变存储器研究。设计新颖处在于，在连接MOS晶体管和相变薄膜的插头之间采用五氧化钽(Ta2O5)界面层。其设计能防止插头上的热耗散，从而允许在较低功耗下实现非晶状态的重置。

    在以这种方式构造的相变存储器单元原型内，编程操作电流为100微安，电源电压为1.5伏。五氧化钽(Ta2O5)界面层与相变薄膜之间的电势可令存储器单元加工时稳定性增强。

    常规相变存储器必须要加热相变薄膜材料，以超过熔点，使薄膜返回到非晶状态，这需要1毫安的电流或更多。五氧化钽界面层结构可克服与材料有关的发热问题。温度上升到熔点迅速，从而消耗较少能量。与其它非易失性存储器相比，相变存储器有潜力做到高度紧凑，提供更快编程和写入速度。