天极网10月21日消息据外电报道，美国司法部宣布，因涉嫌共谋操纵DRAN储存芯片价格，韩国三星电子的二名官员和现代半导体(美国)公司的一名官员昨天在美国旧金山法院被起诉。

　　司法部称，三个官员在2001年至2002年期间涉嫌参与了共谋操纵DRAN储存芯片价格被起诉，当时韩国公民Il Ung Kim 担任三星电子储存部门营销副总裁， Young Bae Rha担任三星电子储存部门销售和营销副总裁，美国公民Gary Swanson担任现代半导体(美国)公司销售和营销资深副总裁。他们将面临三年的监禁，每人被罚款35万美元。

　　司法部表示，昨天有四个公司和16个人因涉嫌共谋操纵DRAN储存芯片价格被起诉和罚款，罚款总数超过了7.31亿美元。

　　今年早些时候三星电子的其他四名官员和现代半导体的其他四名官员也因涉嫌共谋操纵DRAN储存芯片价格被判处五至八个月的监禁。2004年英飞凌科技公司的四名官员因涉嫌此案被监禁六个月。